| 单晶制备方法 | CZ |
| 导电类型 | P |
| 掺杂剂 | Boron(B) |
| 晶向 | |
| 晶向偏离度 | <±3° |
| 电阻率范围（ρ） | 1-3Ω•cm/3-6Ω•cm |
| 少数截流子寿命(τd) | >10μS |
| 氧含量 (Oi) | ≤1.0*1018at/cm3 |
| 碳含量(C) | ≤5.0*1016at/cm3 |
| 位错密度（Nd） | ≤3000/ cm2 |
| 硅片尺寸 | 125*125±0.5mm; 156*156±0.5mm |
| 硅片直径 | 150±0.5 mm; 156±0.5 mm; 165±0.5 mm; 200±0.5 mm |
| 厚度 | 200±20μm |
| 总厚度变化 | <30μm |
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