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单晶硅片
发布日期:2015-03-30
单晶制备方法 CZ
导电类型 P
掺杂剂 Boron(B)
晶向
晶向偏离度 <±3°
电阻率范围(ρ) 1-3Ω•cm/3-6Ω•cm
少数截流子寿命(τd) >10μS
氧含量 (Oi) ≤1.0*1018at/cm3
碳含量(C) ≤5.0*1016at/cm3
位错密度(Nd) ≤3000/ cm2
硅片尺寸 125*125±0.5mm; 156*156±0.5mm
硅片直径 150±0.5 mm; 156±0.5 mm; 165±0.5 mm; 200±0.5 mm
厚度 200±20μm
总厚度变化 <30μm

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