您现在的位置:首页 > 产品中心 > 硅片
产品中心
Product Center
多晶硅片
发布日期:2015-04-01
导电类型 P
掺杂剂 Boron(B)
晶向
晶向偏离度 <±3°
电阻率范围(ρ) 1-3Ω•cm
少数截流子寿命(τd) >2μS
氧含量 (Oi) ≤1.0*1018at/cm3
碳含量(C) ≤5.0*1016at/cm3
位错密度(Nd) ≤3000/ cm2
硅片尺寸 156*156±0.5mm
硅片直径 218±0.5 mm
厚度 200±20μm
总厚度变化 <30μm

关于公司 |  产品中心 |  光伏解决方案 |  案例展示 |  新闻动态 |  联系我们

Copyright: 2014 Nanjing First Energy Co., Ltd. all rights reserved.