您现在的位置:首页 > 产品中心 > 硅片
产品中心
Product Center

硅片   Solar Wafer

  • 多晶硅片

    导电类型 P
    掺杂剂 Boron(B)
    晶向
    晶向偏离度 <±3°
    电阻率范围(ρ) 1-3Ω•cm
    少数截流子寿命(τd) >2μS
    氧含量 (Oi) ≤1.0*1018at/cm3
    碳含量(C) ≤5.0*1016at/cm3
    位错密度(Nd) ≤3000/ cm2
    硅片尺寸 156*156±0.5mm
    硅片直径 218±0.5 mm
    厚度 200±20μm
    总厚度变化 <30μm

  • 单晶硅片

    单晶制备方法 CZ
    导电类型 P
    掺杂剂 Boron(B)
    晶向
    晶向偏离度 <±3°
    电阻率范围(ρ) 1-3Ω•cm/3-6Ω•cm
    少数截流子寿命(τd) >10μS
    氧含量 (Oi) ≤1.0*1018at/cm3
    碳含量(C) ≤5.0*1016at/cm3
    位错密度(Nd) ≤3000/ cm2
    硅片尺寸 125*125±0.5mm; 156*156±0.5mm
    硅片直径 150±0.5 mm; 156±0.5 mm; 165±0.5 mm; 200±0.5 mm
    厚度 200±20μm
    总厚度变化 <30μm

关于公司 |  产品中心 |  光伏解决方案 |  案例展示 |  新闻动态 |  联系我们

Copyright: 2014 Nanjing First Energy Co., Ltd. all rights reserved.