硅片   Solar Wafer

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  多晶硅片

  导电类型	P
  掺杂剂	Boron(B)
  晶向
  晶向偏离度	<±3°
  电阻率范围（ρ）	1-3Ω•cm
  少数截流子寿命(τd)	>2μS
  氧含量 (Oi)	≤1.0*1018at/cm3
  碳含量(C)	≤5.0*1016at/cm3
  位错密度（Nd）	≤3000/ cm2
  硅片尺寸	156*156±0.5mm
  硅片直径	218±0.5 mm
  厚度	200±20μm
  总厚度变化	<30μm

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  单晶硅片

  单晶制备方法	CZ
  导电类型	P
  掺杂剂	Boron(B)
  晶向
  晶向偏离度	<±3°
  电阻率范围（ρ）	1-3Ω•cm/3-6Ω•cm
  少数截流子寿命(τd)	>10μS
  氧含量 (Oi)	≤1.0*1018at/cm3
  碳含量(C)	≤5.0*1016at/cm3
  位错密度（Nd）	≤3000/ cm2
  硅片尺寸	125*125±0.5mm; 156*156±0.5mm
  硅片直径	150±0.5 mm; 156±0.5 mm; 165±0.5 mm; 200±0.5 mm
  厚度	200±20μm
  总厚度变化	<30μm

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